Las acciones de fabricantes de semiconductores retrocedieron en Estados Unidos y Asia después de que ChangXin Memory Technologies anunciara avances en una nueva arquitectura de memoria DRAM. Elon Musk se pronunció sobre la capacidad de producción china.
Las acciones de fabricantes de semiconductores registraron caídas en las ruedas del lunes y martes en Estados Unidos y Asia. El retroceso se produjo después de que ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciara avances en una nueva arquitectura de memoria DRAM durante un encuentro del sector realizado el fin de semana en Shanghái.
El presidente de CXMT, Cao Kanyu, anticipó que la compañía proyecta lanzar antes de fin de 2026 un producto de memoria para servidores basado en el diseño 4F², una arquitectura que permitiría concentrar una mayor capacidad en un mismo componente.
En la rueda posterior al anuncio, las acciones de Micron cayeron un 3,8%, mientras que SanDisk perdió un 5,9%. También retrocedieron los papeles de Samsung Electronics, SK Hynix, Western Digital y Seagate.
Elon Musk intervino en el debate a través de X, en respuesta a una publicación que cuestionaba la magnitud de la venta de acciones. Musk afirmó: “Cuando China descubre cómo fabricar un producto, su capacidad para escalar suele ser mayor que la del resto del mundo combinado”. Como ejemplos, mencionó dos sectores en los que las compañías chinas expandieron su capacidad industrial: “Lo vimos, por ejemplo, con las baterías de litio y la energía solar”.
La publicación a la que respondió Musk planteaba que CXMT ya se consolidó como un competidor relevante en el mercado de DRAM y continúa ampliando su capacidad de fabricación. Sin embargo, también advertía que desarrollar un diseño de memoria no equivale a producirlo masivamente con niveles competitivos de rendimiento, confiabilidad, volumen y costos.
Musk cuestionó esa lectura y puso en duda que la memoria RAM constituya una excepción frente al avance industrial chino. “Quizás la RAM sea diferente, pero la RAM era un producto básico de bajo margen hace apenas unos tres años”, afirmó. También señaló que LP5 y LP6, referencias a generaciones de memoria de bajo consumo, “están diseñadas bajo un estándar común que China parece estar resolviendo rápido”.
El retroceso bursátil se extendió a distintos mercados y se produjo en un contexto de pérdida de impulso de las acciones vinculadas a la inteligencia artificial. Según MarketWatch, el Índice de Semiconductores de Filadelfia (SOX) se encaminaba el martes a registrar su sexta sesión consecutiva en baja, lo que representaría su peor racha en unos 16 meses.
El índice cayó un 2,7% el martes, luego de una baja similar en la rueda anterior. Micron Technology también profundizó sus pérdidas: sus acciones retrocedieron cerca de un 5% durante la jornada. Pese a las caídas recientes, al inicio de la semana el SOX acumulaba una suba del 68% en el año, mientras que los papeles de Micron habían triplicado su valor desde comienzos de 2026.
La presión vendedora también alcanzó a Asia. En Corea del Sur, el índice KOSPI perdió más de un 6% el martes antes de recortar y en medio de una quinta sesión consecutiva de ventas de acciones de fabricantes de chips. Reuters señaló que se trató de la racha negativa más prolongada del mercado en más de dos años.
En la rueda del lunes, Samsung Electronics y SK Hynix habían caído un 10% y un 8%, respectivamente. En Tokio, las acciones de Kioxia, fabricante de memorias, retrocedieron un 13%.
El deterioro también se reflejó en otros mercados asiáticos: el KOSPI perdió una cuarta parte de su valor desde los máximos de julio, mientras que el índice STAR de Shanghái, centrado en empresas tecnológicas, cayó más de un tercio desde su pico del mismo mes.
El avance de CXMT suma presión sobre un sector que había ganado terreno con el entusiasmo por las inversiones en inteligencia artificial. La posibilidad de que los fabricantes chinos amplíen su participación en el mercado de memorias reabrió las dudas sobre la competencia, los precios y la rentabilidad de una industria clave para el desarrollo de infraestructura tecnológica.